硅鉬棒電熱元件是一種以二硅化鉬為根底制成的耐高溫、抗氧化、低老化的電阻發(fā)熱元件。在高溫氧化性氣氛下運(yùn)用時(shí)，外表生成一層亮光致密的石英（SiO2）玻璃膜，能夠維護(hù)硅鉬棒內(nèi)層不再氧化，因而硅鉬棒元件具有共同的高溫抗氧化性。
硅鉬棒，分子式:MoSi2 【理化性能】 密度:5.5～5.6g/cm3 抗彎強(qiáng)度:15MPa(20℃) 維氏硬度(HV):570kg/mm2 氣孔率:7.4% 吸水率:1.2% 熱伸長率:4% 輻射系數(shù):0.7～0.8(800～2000℃)
根據(jù)加熱設(shè)備設(shè)備的構(gòu)造、作業(yè)氣氛和溫度，對電熱元件的外表負(fù)荷進(jìn)行正確地選擇，是硅鉬棒電熱元件的運(yùn)用壽命的要害。
硅鉬棒電熱元件產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于冶金、煉鋼、玻璃、陶瓷、耐火資料、晶體、電子元器件、半導(dǎo)體資料的研討、生產(chǎn)制作等范疇，特別是關(guān)于高性能精細(xì)陶瓷、高等級人工晶體、精細(xì)構(gòu)造金屬陶瓷、玻璃纖維、光導(dǎo)纖維及高檔合金鋼的生產(chǎn)。
硅鉬棒中的硅是一種化學(xué)元素，它的化學(xué)符號是Si，舊稱矽。原子序數(shù)14，相對原子質(zhì)量28.09，有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，歸于元素周期表上IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素，但是它很少以單質(zhì)的形式在自然界呈現(xiàn)，而是以雜亂的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在世界中的儲(chǔ)量排在第八位。在地殼中，它是第二豐厚的元素，構(gòu)成地殼總質(zhì)量的25.7%，僅次于第一位的氧（49.4%）。
硅鉬棒中的硅稱號的由來，來自拉丁文的silex,silicis，意思為燧石（火石）。 民國前期，專家原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi（圭旁確可讀xi音，如畦字）”（又，“硅”字本為“砉”字之異體，讀huo）。但是在其時(shí)的時(shí)空下，因?yàn)槠匆粲?jì)劃沒有推廣遍及，通常大很多誤讀為gui。因?yàn)榛瘜W(xué)元素譯詞除中國原有命名者，多用音譯，化學(xué)學(xué)會(huì)注意到此疑問，所以又創(chuàng) “矽”字防止誤讀。臺(tái)灣沿襲“矽”字至今。
1787年，拉瓦錫初次發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。但是在1800年，戴維將其錯(cuò)以為一種化合物。1811年，蓋-呂薩克和Thénard能夠現(xiàn)已經(jīng)過將單質(zhì)鉀和四氟化硅混合加熱的辦法制備了不純的無定形硅。1823年，硅初次作為一種元素被貝采利烏斯發(fā)現(xiàn)，并于一年后提煉出了無定形硅，其辦法與蓋-呂薩克運(yùn)用的辦法大致一樣。他隨后還用重復(fù)清潔的辦法將單質(zhì)硅提純。
硅鉬棒在氧化氣氛下、最高運(yùn)用溫度為1800℃，硅鉬棒電熱元件的電阻跟著溫度升高而敏捷添加，當(dāng)溫度不變時(shí)電阻值安穩(wěn)。在正常情況下元件電阻不隨運(yùn)用時(shí)間的長短而發(fā)生。