碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，與硅材料的物理性能對(duì)比，主要特性包括:（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近10倍；（2）熱導(dǎo)率高，超過(guò)硅材料的3倍；（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗輻照和化學(xué)穩(wěn)定性好；（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長(zhǎng)二氧化硅絕緣層。
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司長(zhǎng)期供應(yīng)2英寸到6英寸的碳化硅襯底片，分別有4H-N 和4H-Si型。其中4H-N 導(dǎo)電型碳化硅襯底片摻雜氮，4H-SI高純半絕緣型碳化硅襯底片摻雜釩，主要生產(chǎn)的厚度是350um。
在《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》中將碳化硅列為“新一代信息功能材料及器件”，在《中國(guó)制造2025》中明確大尺寸碳化硅單晶襯底為“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”“先進(jìn)半導(dǎo)體材料”?？梢院敛豢鋸埖卣f(shuō)，碳化硅材料已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。