蘇州恒邁瑞材料科技供應的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型為襯底層，襯底層晶向為4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片產品尺寸有4英寸和6英寸導電類型分為N型及P型，N型碳化硅外延片摻雜氮，P型碳化硅外延片摻雜鋁。
恒邁瑞碳化硅外延片載流子濃度及厚度可按要求定制生產。
由于碳化硅器件必須制作在外延材料上，所以基本上所有碳化硅單晶材料都將作為襯底材料用來生長外延材料。國際上碳化硅外延材料技術發(fā)展迅速，外延厚度達到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技術成熟度較高，表面缺陷密度已經降低到1個/cm2以下，位錯密度已從過去的105個/cm2，降低到目前的103個/cm2以下，基平面位錯的轉化率接近100 %，已經基本達到碳化硅器件規(guī)?；a對外延材料的要求。